Вычисляем величину сопротивления R1.

Вычисляем величину сопротивления R1.

Зададим ток стабилитрона VD3 равным 5 мА. При наименьшем напряжении источника UП по сопротивлению R1 будет протекать ток 5 мА. Прикладывается напряжение UП за вычетом напряжения на диодиках VD3 (5,6 В) и VD2 (UК = 4 В). Эти напряжения в сумме дают UR1=9,6 В. Тогда сопротивление
R1= (20 – 9,6)/5 =2,08 кОм.

Избираем номинальное значение (округлив в наименьшую сторону), к примеру Вычисляем величину сопротивления R1. 2,08 кОм (ряд Е24), на схеме обозначается 2К0.

Рассчитывается мощность рассеяния на резисторе и выбирается его тип.

Так как принято другое значение сопротивления резистора, то следует вычислить фактическое значение тока IR1 = (20 – 12,6)/1,5 = 4,9 мА. Рассеиваемая резистором мощность PR1= IR1·UR1=4,9 мА·12,6 В = 62 мВт.·Можно избрать резистор с мощностью 1/8 Вт.

Определяем Вычисляем величину сопротивления R1. реальные сопротивления диодов VD1 и VD2.

По диодику VD1 течёт ток 20 мА (стабилитрон КС170А), по диодику VD2 (диодик КС140А) течёт ток 60 мА (ток IК2 и ток стабилитрона VD3). Воспользуемся графиками рис. 20, на которых указаны токи, протекающие по стабилитрону. Проведем сечения (штрихпунктирные полосы) для напряжений стабилизации и токов, протекающих по стабилитронам Вычисляем величину сопротивления R1..

Согласно построению сопротивление диодика VD1 составляет приблизительно 10 Ом, сопротивление диодика VD2 приблизительно 21 Ом. Общее сопротивление, включённое в цепь базы транзистора VТ1, составляет 31 Ом (rСТΣ = 31 Ом).


Расчет характеристик стабилизатора.

Коэффициент стабилизации определяется по соотношению

, (3.2)

где rСТ Σ – общее сопротивление стабилитронов;

rК– сопротивление коллекторной цепи транзистора VT1;

h11 – входное сопротивление Вычисляем величину сопротивления R1. транзистора VT1;

h21= В – статический коэффициент усиления транзистора VT1.

Сопротивление rЭ = φT/IЭ = 26 мВ/50 мА = 0,52 Ом.

При температуре 20 ОС φT ≈ 26 мВ.

Параметр h11 определяется по приращениям тока и напряжения на входной характеристике h11 = ∆UБЭ /∆IБ (рис. 21). Ток базы был вычислен ранее IБ = 1,2 мА. Значение тока базы откладываем на оси тока базы, проводим горизонтальную линию Вычисляем величину сопротивления R1. до скрещения с чертой, получаем положение рабочей точки (РТ). Строим характеристический прямоугольный треугольник так, чтоб РТ оказалась приблизительно в средине гипотенузы треугольника. Катеты проецируем на ось тока и напряжения. Вычисляем значения ∆UБЭ и ∆IБ.

Из построения находим ∆UБЭ ≈ 0,05 В и ∆IБ= 0,3 мА. h11= ∆UБЭ /∆IБ= 0,05/0,3 = 166 Ом.

Сопротивление rК определяется Вычисляем величину сопротивления R1. по коллекторным вольт-амперным чертам транзистора. Для этого проводится вертикальная ровная для напряжения 10 В, находится точка скрещения прямой с чертой тока базы, принятого в расчёте (IБ = 1,2 мА). Около этой точки строится характеристический треугольник, катеты которого проецируются на оси и находятся значения приращения тока и напряжения ∆UКЭ Вычисляем величину сопротивления R1. и ∆IК. Рассчитывается сопротивление rК. Построения показаны на рис. 21 и рис. 14. Из построения определяем ∆UКЭ= 10 В, ∆IК ≈ 3 мА.

rК = ∆UКЭ/∆IК = 10 В/0,003 А =3333 Ом.

Коэффициент В определяется при неизменном напряжении
UКЭ = 10 В. Избираем свойства для токов базы 1,0 мА и 1,4 мА.
∆IБ= 0,3 мА,∆IК≈ 20 мА, В = ∆IК/∆IБ ≈ 20/0,3 = 66,6.

Вычисляем коэффициент стабилизации Вычисляем величину сопротивления R1. стабилизатора

Выходное сопротивление стабилизатора

RВЫХ = rЭ + (rСТΣ+ rб)/(1 + B)

Сопротивление rб = h11– rЭ(1 + B) = 166 – (0,52∙66,6) = 131,4 Ом.

RВЫХ = 0,52 + (31 + 50,0)/51 = 2,1 Ом.

РТ


viborgskogo-rajona-leningradskoj-oblasti-postanovleni-e.html
vibori-2016-podvedenie-itogov.html
vibori-deputatov-soveta-deputatov-beloevskogo-selskogo-poseleniya-tretego-soziva.html